應用領域
半導體激光系統和激光光學系統在現代半導體制造工業,如半導體晶圓退火等應用中扮演著至關重要的角色。
晶圓激光退火(Laser Annealing)是28nm及以下邏輯芯片制造中的關鍵工藝之一。該工藝采用近紅外波段半導體激光光源,通過多組不同功能的激光光學整形系統及光學勻化系統,在工作距離下達成12mm*70μm的極窄線激光光斑,并保證光斑長度方向>95%的能量均勻性。在不到一毫秒的時間內,晶圓表層原子被加熱到1000°C以上,再通過急速冷卻,使晶圓表面局部形成超淺結和高激活結,從而起到提升晶圓生產的良品率的目的。
炬光科技推出的DLight S系列半導體集成電路晶圓退火系統,結合產生光子的共晶鍵合技術、激光光源熱管理技術、熱應力控制技術以及調控光子的激光光束轉換技術和光場勻化技術,生產一條長寬比達160:1的近紅外波段極窄線光斑,并在光斑長度方向達到>95%的能量均勻性和>98%的能量穩定性。應用在半導體前道工序中的多種加工工藝。
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