核心技術
2023年9月21日周四19:30,炬光科技光機系統技術專家華大成在光電匯直播平臺“光言萬物”發表題為《光斑尺寸可調的高均勻性線光斑半導體激光器系統》的專題演講。
報告摘要
晶圓激光退火(Wafer Laser Annealing)是28nm及以下邏輯芯片制造前道工序中不可缺少的關鍵工藝之一。該工藝采用近紅外波段半導體激光光源,通過多組不同功能的激光光學整形系統及光學勻化系統,在工作距離下達成12mm*70μm的極窄線激光光斑,將形成的高能量密度極窄激光光斑照射到晶圓表面,在不到1毫秒的時間內將表層原子層加熱到1000°C以上再急速冷卻,使晶圓表面局部形成超淺結和高激活結,從而有效減少前道工序中產生的晶圓電極缺陷,提高產品性能,提升晶圓生產良品率。
炬光科技推出的DLight?S系列半導體集成電路晶圓退火系統,結合產生光子的共晶鍵合技術、激光光源熱管理技術、熱應力控制技術以及調控光子的激光光束轉換技術和光場勻化技術,產生一條長寬比達160:1的近紅外波段極窄線光斑,并在光斑長度方向達到>95%的能量均勻性和>98%的能量穩定性。應用在半導體前道工序中的多種退火工藝。
DLight?S系列半導體集成電路晶圓退火系統
演講人信息
華大成,浙江大學光學工程碩士畢業,光機系統技術專家,2019年加入炬光科技,長期從事高精密線光斑激光系統開發工作。
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