西安炬光科技有限公司發明專利“HIGH-POWER SEMICONDUCTOR LASER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME”于2014年1月28日正式獲得美國專利商標局授權，專利號為US 8638827 B2，在獲得美國專利授權的同時，炬光科技的該專利也在歐盟、日本等國家或地區進入公開階段。 該發明專利提出了一種單發射腔高功率半導體激光器結構設計方法，是炬光科技自主研發的F-mountò半導體激光器系列產品的核心技術，該系列產品使用無銦化技術，具有高功率，高可靠性和客戶使用方便等優點，該系列產品已經廣泛應用于固體激光泵浦、激光顯示、激光測距、激光夜視等多個領域。 “HIGH-POWER SEMICONDUCTOR LASER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME”獲美國專利授權 炬光科技成立以來，始終堅持自主創新，大力投入研發，攻克了很多關鍵技術，取得了很多創新成果，過去5年已累計申請專利176項，77項已授權（其中13項發明專利）并主導編寫兩項半導體激光器國家標準。此次炬光科技發明專利獲得美國授權，是公司創新成果得到認可和公司知識產權保護的體現，對于公司構筑核心技術專利保護網、提升國際市場品牌形象和競爭力具有重要的意義，同時也為公司開拓海外市場過程中抵御知識產權風險提供有力的保障。