西安炬光科技有限公司發(fā)明專(zhuān)利“HIGH-POWER SEMICONDUCTOR LASER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME”于2014年1月28日正式獲得美國(guó)專(zhuān)利商標(biāo)局授權(quán)，專(zhuān)利號(hào)為US 8638827 B2，在獲得美國(guó)專(zhuān)利授權(quán)的同時(shí)，炬光科技的該專(zhuān)利也在歐盟、日本等國(guó)家或地區(qū)進(jìn)入公開(kāi)階段。 該發(fā)明專(zhuān)利提出了一種單發(fā)射腔高功率半導(dǎo)體激光器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方法，是炬光科技自主研發(fā)的F-mountò半導(dǎo)體激光器系列產(chǎn)品的核心技術(shù)，該系列產(chǎn)品使用無(wú)銦化技術(shù)，具有高功率，高可靠性和客戶(hù)使用方便等優(yōu)點(diǎn)，該系列產(chǎn)品已經(jīng)廣泛應(yīng)用于固體激光泵浦、激光顯示、激光測(cè)距、激光夜視等多個(gè)領(lǐng)域。 “HIGH-POWER SEMICONDUCTOR LASER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME”獲美國(guó)專(zhuān)利授權(quán) 炬光科技成立以來(lái)，始終堅(jiān)持自主創(chuàng)新，大力投入研發(fā)，攻克了很多關(guān)鍵技術(shù)，取得了很多創(chuàng)新成果，過(guò)去5年已累計(jì)申請(qǐng)專(zhuān)利176項(xiàng)，77項(xiàng)已授權(quán)（其中13項(xiàng)發(fā)明專(zhuān)利）并主導(dǎo)編寫(xiě)兩項(xiàng)半導(dǎo)體激光器國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)。此次炬光科技發(fā)明專(zhuān)利獲得美國(guó)授權(quán)，是公司創(chuàng)新成果得到認(rèn)可和公司知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)的體現(xiàn)，對(duì)于公司構(gòu)筑核心技術(shù)專(zhuān)利保護(hù)網(wǎng)、提升國(guó)際市場(chǎng)品牌形象和競(jìng)爭(zhēng)力具有重要的意義，同時(shí)也為公司開(kāi)拓海外市場(chǎng)過(guò)程中抵御知識(shí)產(chǎn)權(quán)風(fēng)險(xiǎn)提供有力的保障。